آي بي إم تكشف عن أول تقنية في العالم لإنتاج رقائق أقل من 1 نانومتر


كشفت شركة "آي بي إم" عن تطويرها لأول تكنولوجيا في العالم قادرة على إنتاج رقائق إلكترونية بدقة تصنيع أقل من نانومتر واحد، معتمدة على بنية هندسية مبتكرة للترانزستورات تبلغ 0.7 نانومتر (أو ما يعادل 7 أنجستروم).
وأوضحت "آي بي إم" أن التقنية الجديدة تتيح دمج ما يقرب من 100 مليار ترانزستور على مساحة لا تتعدى سطح ظفر الإصبع، وهو ما يعادل ضعف الكثافة المتاحة في رقاقة الـ 2 نانومتر التي كشفت عنها الشركة في عام 2021، بحسب "رويترز".

وتسمح هذه الكثافة الفائقة بتقديم أداء أعلى بنسبة تصل إلى 50%، أو خفض استهلاك الطاقة بنسبة تصل إلى 70% مقارنة بالجيل السابق، عبر التصميم الجديد الذي يسمى "نانو ستاك"، الذي يقوم برص الترانزستورات فوق بعضها بشكل ثلاثي الأبعاد.
يأتي هذا الإعلان في وقت يبحث فيه مصنّعو الرقائق عن سبل للحفاظ على التوجه السائد منذ عقود نحو تكثيف قوة الحوسبة في مساحات أصغر، وهي ظاهرة تُعرف بـ"قانون مور"، ما ساهم في ارتفاع سهم الشركة بنسبة تتجاوز 6% في تداولات ما قبل افتتاح السوق.

اقرأ أيضاً
تيم كوك: رفع أسعار منتجات آبل لا مفر منه بسبب تكلفة رقائق الذاكرة
ترامب: آبل ستتعاون مع إنتل لتصنيع الرقائق في الولايات المتحدة
البرلمان الأوروبي يستبدل محرك جوجل لتعزيز السيادة التقنية
تقرير: أنثروبيك تبحث استخدام رقائق مايكروسوفت لتعزيز قدراتها الحوسبية
الصين تحظر رقائق ألعاب من إنفيديا رغم زيارة ترامب
هوانج: الصين قد تفتح سوقها تدريجيًا أمام الرقائق الأمريكية
سوفت بنك تستثمر نحو نصف مليار دولار في شركة رقائق بريطانية
تيم كوك يحذر من تفاقم أزمة رقائق الذاكرة
روسيا تقتنص المركز الخامس عالمياً في تصدير رقائق البطاطس
هيئة الدواء تُناقش مع السفير السويدي تيسير إجراءات توريد المكونات التقنية للمستلزمات الطبية
فاينانشال تايمز: هواوي تتوقع ارتفاع إيرادات رقائق الذكاء الاصطناعي 60% على الأقل هذا العام
سامسونج تحذر من تفاقم أزمة رقائق الذاكرة في 2027




















