كوريا الجنوبية تستثمر تتجاوز 576 مليار دولار لتعزيز ريادتها في الرقائق والذكاء الاصطناعي

أعلنت كوريا الجنوبية، الاثنين، استراتيجية صناعية شاملة تركز على أشباه الموصلات والذكاء الاصطناعي، تتضمن استثمارات تتجاوز 886 تريليون وون (نحو 576 مليار دولار)، في خطوة تستهدف ترسيخ مكانة البلاد في صدارة صناعة الرقائق الإلكترونية عالميًا، إلى جانب تحقيق تنمية اقتصادية أكثر توازنًا بين الأقاليم.

وكشف الرئيس لي جاي ميونج عن الخطة بحضور قيادات شركتي "سامسونج إلكترونيكس" و"إس كيه هاينكس"، أكبر منتجين لرقائق الذاكرة في العالم، واصفًا المبادرة بأنها "قفزة كبرى" ترتكز على ثلاثة محاور رئيسية تشمل أشباه الموصلات، والذكاء الاصطناعي المادي (Physical AI)، ومراكز البيانات.

وقال الرئيس الكوري، في كلمة متلفزة، إن بلاده "يجب أن تؤمن العناصر الأساسية للذكاء الاصطناعي بوتيرة أسرع من أي دولة أخرى".

وبحسب وزير الصناعة كيم جونج-كوان، ستستثمر شركتا سامسونج وإس كيه هاينكس، بالتعاون مع مورديهما، نحو 800 تريليون وون (518.3 مليار دولار) لإنشاء مصنعين جديدين لكل شركة في جنوب غرب البلاد.

وأضاف أن مدينة غوانغجو وإقليم جولا الجنوبية سيضخان استثمارات تتراوح بين 5 و20 تريليون وون لدعم المشروعات، فيما يُتوقع استثمار 81 تريليون وون إضافية لإنشاء مجمع متخصص في تغليف الرقائق بمنطقة تشونغتشيونغ، القريبة من العاصمة سول.

وأكد لي أن الطلب العالمي المتزايد على أشباه الموصلات يتطلب الإسراع في استكمال المجمعات الصناعية الجاري إنشاؤها، إلى جانب تنفيذ استثمارات ضخمة جديدة لزيادة الطاقة الإنتاجية، مشيرًا إلى أن مواقع الإنتاج الحالية في يونغين وبيونغتايك وصلت إلى حدودها القصوى.

وأوضح الرئيس أن منطقة الجنوب الغربي ستستضيف مجمعات إنتاج رئيسية للرقائق الإلكترونية، مستفيدة من وفرة الطاقة الكهربائية غير المستغلة في المنطقة.

وتأتي هذه الخطوة في وقت أصبحت فيه رقائق الذاكرة عالية النطاق (HBM)، التي تنتجها سامسونج وإس كيه هاينكس، عنصرًا رئيسيًا في سباق تطوير أنظمة الذكاء الاصطناعي المتقدمة، بينما تمتلك الشركتان بالفعل منشآت تصنيع كبرى داخل وحول منطقة العاصمة سول.

وأشار وزير الصناعة إلى أن الحكومة تستهدف مضاعفة إنتاج رقائق الذاكرة الديناميكية (DRAM) خلال خمس سنوات، عبر تسريع تنفيذ مصانع جديدة في منطقة العاصمة، كان من المخطط إنجازها بحلول منتصف ثلاثينيات القرن الحالي.

وتُستخدم رقائق DRAM في تشغيل الأجهزة الإلكترونية مثل الحواسيب المحمولة والهواتف الذكية، فيما تُصنع رقائق HBM عبر تكديس عدة طبقات من رقائق DRAM لزيادة كفاءة الأداء في تطبيقات الذكاء الاصطناعي.